PF-300T

產品介紹:
產品介紹:
PF-300T 是國家十一五重大專項所支持，由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備，擁有 100%知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產，具有 14-5納米技術的延伸性。設備成本（CoO）及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線（TSV）實施量產，充分展現國產半導體設備的實力與成果。
產品特點：
- 國際水平的性能指標
- 量產驗證的SiO₂，SiN，SiON及TEOS SiO₂標準工藝
- 可依客戶選擇配置1-3路液態源，實現多種先進工藝
- 具備TSV所需的低溫（<200℃）TEOS SiO₂工藝
- 可與8英寸兼容互相切換
- 具有優異的產能和CoO
- 通過S2安全認證和F47標準檢驗

PF-200T

產品介紹:
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PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺，自主研發的 8 英寸 PECVD 設備，硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致，并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比，具有產能高，維護費用低的優勢，還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸，或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO₂ 工藝，適用于三維集成電路生產（3D IC）中的 TSV 工藝。
產品特點：
穩定的薄膜性能指標及工藝表現
- 不同種類薄膜沉積的快速切換，高產能化
- 能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
- 多層噴淋頭結構設計，快速氣相切換
- 通過S2安全認證和F47標準檢驗

FT-300T

產品介紹:
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FT-300T 系列是我公司自主研發的原子層沉積（Atomic Layer Deposition）設備，反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平臺上，充分實現 ALD 設備對產能的需求?，F已應用于超大規模集成電路，OLED 及先進封裝（TSV）領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜，并針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞?，F可提供具有高質量的 SiO₂，SiN，Al₂O₃ 薄膜，陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。
產品特點：
-?國際領先的生產成本（CoO）及性能指標
-?可搭載1-3個PM
-?具有優異的均勻性和優異的保形性
-?可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
-?ALD薄膜在高寬比（20:1）情況下臺階覆蓋率可達到95%
-?通過S2安全認證和F47標準檢驗

NF-300H

產品介紹:
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NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項，自主研發，是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片（3D NAND）生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備，擁有 100% 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiO₂、SiN（ONON）多層薄膜堆疊結構，在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方面實現突破，設備性能指標達到同類產品國際先進水平，具備產業化能力及市場競爭力。
產品特點：
-?國際領先的生產成本（CoO）及性能指標
-?可搭載1-3個PM
-?穩定的薄膜性能指標及工藝表現
-?不同種類薄膜沉積的快速切換，高產能化
-?能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
-?多層噴淋頭結構設計，快速氣相切換
-?通過S2安全認證和F47標準檢驗

技術服務及零部件

產品介紹:
客戶技術支持：
- 在機臺設備保質期內，本公司將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修，以保證客戶工廠生產的正常進行。
- 本公司在機臺設備保質期內提供給客戶充分的備用件，保質期后，客戶可以購買方式取得備用部件的補充。
- 依客戶所提需求，本公司的工程師保證于24小時內到達客戶現場給予支援。

SC-300

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SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎，專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發，可做2-12英寸的工藝，可選TEOS等液態源配置，適用于半導體、MEMS、光伏，封裝等行業